17日，高通公司宣布將與三星電子合作開(kāi)發(fā)下一代旗艦級(jí)處理器驍龍835，據(jù)稱835將采用三星最先進(jìn)的10nm制造工藝。另外，高通表示835將支持最新的快充技術(shù)Quick Charge 4.0。

由于采用全新的10納米制程工藝，高通方面表示驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能，從而提升移動(dòng)設(shè)備的用戶體驗(yàn)。

借助10納米工藝制程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進(jìn)一步優(yōu)化移動(dòng)設(shè)備的機(jī)身內(nèi)部結(jié)構(gòu)，比如增加電池或是實(shí)現(xiàn)更輕薄的設(shè)計(jì)等等。此外，制程工藝的提升也會(huì)改善電池續(xù)航能力。

目前驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計(jì)搭載驍龍835處理器的設(shè)備將會(huì)在2017年上半年陸續(xù)出貨。

除了驍龍835處理器之外，高通還正式發(fā)布了全新的Quick Charge 4.0快充技術(shù)。 QC 4.0將會(huì)在前幾代方案的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長(zhǎng)手機(jī)使用時(shí)長(zhǎng)5小時(shí)，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對(duì)USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，適配范圍更廣泛。